Audio Perfection Forum
Импеданс головных телефонов и его моделирование - Версия для печати

+- Audio Perfection Forum (https://www.audio-perfection.com/forum)
+-- Форум Акустика, Электроакустика, Психоакустика (https://www.audio-perfection.com/forum/forumdisplay.php?fid=11)
+--- Форум Головные телефоны (https://www.audio-perfection.com/forum/forumdisplay.php?fid=16)
+--- Темы: Импеданс головных телефонов и его моделирование (/showthread.php?tid=93)

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-10-2015

burnway Написал:так может это, померишь какие есть индуктивности и бусины ? Я только собирался, у меня и сэтапчик похуже будет

Какие есть, это слишком большой фронт работ :) Если нтирисует конкретный - могу посмотреть есть ли в наличии. Но чуда ожидать не стоит, при малом обьеме магнитопровода и не гиганском зазоре сильно лучше получится не может.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-10-2015

nazar Написал:Эт с ним невпервой, но ты еще учитывай что партии бусин то разные

Речь проде гла о вишавском блестящем.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - naroznyv - 12-10-2015

БендеровецЪ Написал:[quote="burnway"]Какие есть, это слишком большой фронт работ :) Если нтирисует конкретный - могу посмотреть есть ли в наличии. Но чуда ожидать не стоит, при малом обьеме магнитопровода и не гиганском зазоре сильно лучше получится не может.
Я хотел померить FBMJ4516HS111-T, IHLP1212BZER2R2M11, NRS4018T2R2MDGJ как только сэтапчик соберу. Использовать паразитку у PA0264NL как я понял не стоит.
В общем хотелось бы найти 2.2uH индуктивность высотой менее 4.5мм
Большой ток не вижу смысла качать, ~50mA в пике должно адекватно отобразить ситуацию с наушниками.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - naroznyv - 12-10-2015

(12-09-2015, 05:14 PM)БендеровецЪ Написал:  Кароче булшит это все про -120 :)

IHLP2525CZER3R3M01 - больше по размеру и меньший номинал применьшем токе, сигнал - 1.5Vrms(~+3dBVrms) нагруженая на 16Ом (итого где-то 0.13Апик) - желтым. Красным - все тоже самое но без дросселя.
скриншот это синус 10к с режектором ? -90 dBVrms считаются относительно 1 Vrms ?

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-10-2015

dbVrms это абсолютный уровень, он не считается относительно.

burnway Написал:В общем хотелось бы найти 2.2uH индуктивность высотой менее 4.5мм
burnway Написал:Большой ток не вижу смысла качать, ~50mA в пике должно адекватно отобразить ситуацию с наушниками.

Вот паэтаму проще сделать с резисторами :)

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-10-2015

Vrms - абсолютное значение, без разницы какой множитель прикручен перед, мантиса, экспонента или еще что-то.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - naroznyv - 12-10-2015

БендеровецЪ Написал:Vrms - абсолютное значение, без разницы какой множитель прикручен перед, мантиса, экспонента или еще что-то.
Сергей вы чего, вот даже на вики нашёл ссыль https://en.wikipedia.org/wiki/Decibel#Voltage

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-10-2015

Ну и? Точно так же можно сказать что 10 вольт измеряно относительно одного вольта. В таком ключе вобще все измерения делаются относительно каковато эталона. Vrms говорит о том что то что перед вами дает вам в результате вполне конретное абсолютное а не относительное значение, т.к. есть приписаная размерность. Относительное значение не имеет размерности.
Те же 10В можно записать как (1х10^1)В либо как 1х10^(20/20)В, где 20 это те 20 что 20dbVrms. Как не запиши коефициент спереди, это все равно вольты.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - naroznyv - 12-10-2015

БендеровецЪ Написал:Ну и? Точно так же можно сказать что 10 вольт измеряно относительно одного вольта. В таком ключе вобще все измерения делаются относительно каковато эталона. Vrms говорит о том что то что перед вами дает вам в результате вполне конретное абсолютное а не относительное значение, т.к. есть приписаная размерность. Относительное значение не имеет размерности.
Те же 10В можно записать как (1х10^1)В либо как 1х10^(20/20)В, где 20 это те 20 что 20dbVrms. Как не запиши коефициент спереди, это все равно вольты.
я это расписывал чтобы пересчитать корректно dBVrms в dBc. Сигнал же подавался больше, чем 1Vrms. Хотя можно же из измеренного значения вычесть 3dBVrms, щас уже дошло до меня :)
может быть имеются для замера FBMJ4516HS111-T или NRS4018T2R2MDGJ ? Или хотя бы чего-нибудь из серии NRS

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - nazar - 12-10-2015

burnway Написал:Использовать паразитку у PA0264NL как я понял не стоит
ну ежели не использовать индуктивность с воздушным сердечником (чем является паразитка в синфазнике) тогда уж я не знаю что стоит.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - naroznyv - 12-10-2015

nazar Написал:
burnway Написал:Использовать паразитку у PA0264NL как я понял не стоит
ну ежели не использовать индуктивность с воздушным сердечником (чем является паразитка в синфазнике) тогда уж я не знаю что стоит.
Сергей чет против, я честно не понял почему. Мож из-за низкого селфрезонанса для THS6022, мож из-за малой индуктивности.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-10-2015

burnway Написал:из-за низкого селфрезонанса для THS6022, мож из-за малой индуктивности.

Я не помню деталей, но помоему было и то и другое.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - naroznyv - 12-10-2015

БендеровецЪ Написал:
burnway Написал:из-за низкого селфрезонанса для THS6022, мож из-за малой индуктивности.

Я не помню деталей, но помоему было и то и другое.
может быть имеются для замера FBMJ4516HS111-T или NRS4018T2R2MDGJ ? Или хотя бы чего-нибудь из серии NRS ? Или чего-нибудь ниже 4.5мм ?

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-10-2015

В пн посмотрю

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - pryanic - 12-13-2015

БендеровецЪ Написал:Вот паэтаму проще сделать с резисторами Smile
Просто цобеля?

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-13-2015

Ну может еслть частные случаи где можно обойтись просто цобелем, но вобщем все немного сложнее. С "типичным" цобелем будут основательные провалы в имедансе, если считать линию плохо затерминированой, что в общем случае где-то так и есть. Один из вариантов в теме про крокодил.

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - naroznyv - 12-13-2015

БендеровецЪ Написал:Ну может еслть частные случаи где можно обойтись просто цобелем, но вобщем все немного сложнее. С "типичным" цобелем будут основательные провалы в имедансе, если считать линию плохо затерминированой, что в общем случае где-то так и есть. Один из вариантов в теме по крокодил.
речт про снаббер с 2.2 омами ?

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - БендеровецЪ - 12-13-2015

Да

Немного изменил сэтап. Поскольку искажения источника ниже чем дросселя, то искажения удобней мерять на дросселе чем на резисторе т.к. основной тоне будет ниже, а искажения будут теми же. С инвертированой фазой правда.
vlp8040t-2r2 при токе 100mArms дает -96dBVrms третьей гармоники на дросселе, при токе 50mArms около -108dBVrms для 10kHz.
У IHLP2525CZER3R3M01 -91dBVrms и -102dBVrms соотв
IHLP2020BZFP1R0M01 -101dBVrms и -112dBVrms

Вобщем я бы забыл про -120дБ при таких размерах дросселя как про неудачную шутку :)

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - nazar - 12-13-2015

Эт точно, тайоюденовские в 0805 что мерял давали похожие цифры, притом на 10к хуже чем на 1к

RE: Импеданс головных телефонов и его моделирование - naroznyv - 12-13-2015

nazar Написал:IHLP2020BZFP1R0M01
nazar Написал:Эт точно, тайоюденовские в 0805 что мерял давали похожие цифры, притом на 10к хуже чем на 1к
я то подумал, что тайоюденовские хорошие рез-алты показали