06-24-2014, 11:19 AM
Симулировал 3 схемы... Первая - это Линквиц подключеный к двум ИНВ усям, вторая - моя, третья - Линквиц на одном ИНВ усе ( к сожалению эта идея отпадает... Для того чтобы получить на инв ОУ 36 дб усиления, необходимые для нормального выходного уровня резистор в ООС получился 640 кОм, я против этого, по этому лучше делать на сдвоеном ОУ как на схеме 1). А теперь симуляция
Первый и третий вариант показывают КГ 0.015, второй 0.17..... Да - резанина дает разницу на порядок.... ( но и пред нужен с чуть большим усилением)