Audio Perfection Forum
На базе "сложного композита". - Версия для печати

+- Audio Perfection Forum (https://www.audio-perfection.com/forum)
+-- Форум Аналоговая Схемотехника (https://www.audio-perfection.com/forum/forumdisplay.php?fid=3)
+--- Форум Усилители для наушников (https://www.audio-perfection.com/forum/forumdisplay.php?fid=14)
+--- Темы: На базе "сложного композита". (/showthread.php?tid=280)

Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12


RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019

Юрий_Uri Написал:Ну почему же, качественно всё безупречно - ВЧ продукты нелинейности создают интермоды, в том числе попадающие и в звуковой диапазон, что не так?

Читаем

БендеровецЪ Написал:Вход "должен" переваривать оставаясь достаточно линейным, без существенной интермодуляции, нормальный, типичный сигнал, который будет на него подаватся. Включая все вариации остальных параметров (нагрузка, питание, помехи, в т.ч. с выхода, температура и т.д.). Понятно что с некоторым запасом

И да, недегенирированный ДК может вполне себе справлятся с задачей. Чаще чем кажется.


RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019

ОК, теперь про компенсацию 1210 :)
Спасибо заранее!


RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019

А что там с 1210? Вроде ничего необычного.


RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019

Q15/Q16 Q11/Q14 - включены параллельно, повторители. Что он делает, этот COMP кондер? Замыкает эти повторители? Выключает их на ВЧ? Т.е. выход УН напрямую на выход LT-ш-ки?
PS В1/В2 скорректированы? Это высокоомные точки, вроде.
   


RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019

Подгружает выход УНа через Cc Rc


RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019

БендеровецЪ Написал:Подгружает выход УНа через Cc Rc
Я бы понял, если бы COMP на землю был пикушкой притянут, но выход-то двигается вместе с точкой А. Или смысл в том, что Q11/14 на ВЧ не работает? Или эту дополнительную емкость нужно поделить на усиление по току Q10/11/13/14?
И как себя чувствует ВК с емкостной нагрузкой (это же для емкостной нагрузки придумано) - тоже непонятно. В общем, одни вопросы.


RE: На базе "сложного композита". - nazar - 10-24-2019

Rc, Cc - местная ос для обеспечения устойчивости на небольшую емкостную нагрузку и обхода ВК на вч.
Они включены от высокоомной точки на выход устройства, если на выходе будет емкость на землю то сооветственно уедет и интернал коррекция для обеспечение большего запаса по фазе.


RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019

Вот, теперь более-менее ясно. Короче, очень грубо смысл в искусственном деградировании частотных свойств ВК, так?
Rc - чтобы дополнительный выброс фазы добавить (для большего запаса)?
Получается, что Q11/14 на ВЧ выключаются, Q15/16 обходятся на ВЧ за счет 50 Ом, этот же резистор 50 Ом образует полюс совместно с емкостной нагрузкой, а Rc образует ноль на выходе УН, итого имеем устойчивость.
Остается вопрос почему Q11/14 не генерят на емкость. Или генерят, но так высоко, что на это забили :))). Шутка. Можно по этой схеме дать ответ?

_______________
Тогда не понятно, как оно работает со свободным COMP. Получается ПОС нивелирует Сс, как оно тогда компенсируется, паразитами? Чего-то там не хватает, или лыжи у меня не смазаны :)


RE: На базе "сложного композита". - begemot - 10-24-2019

или лыжи...
С какой стати там что то работает на ёмкость?
Поскольку сигнал на внешнюю ёмкость подаётся с повторителей с обоих концов, напряжение на ёмкости практически отсутствует до тех пор пока частота не начинает приближаться к граничной частоте транзисторов, когда Кус повторителя начнёт снижаться. Т.е до этого ёмкость практически не работает, её как-бы нет. А близко к граничной частоте ёмкость вместе с 50 омным резистором начнут создавать путь прохождения сигнала в обход ВК. Т.е. немного изменят запас по фазе на ВЧ


RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-24-2019

ОК, видимо, я как-то криво выражаюсь, как всегда.
Сс создает основной полюс компенсации в точке А на какой-то частоте. На ВЧ С1 замыкает точку D на землю, в ней образуется полюс (50 Ом/СL+C1), а в точке А ноль за счет Rc.
Как выходной повторитель дружит с емкостью СL? Показал стрелочкой.
Как происходит компенсация, когда С1 отключен? Сс опирается на точку D - будет ПОС на выход УН, Сс "исчезает".

ПС Завязывать компенсацию на Ft транзисторов не очень хорошая идея, ИМХО.
   


RE: На базе "сложного композита". - mellowman - 10-24-2019

БендеровецЪ Написал:Вход "должен" переваривать оставаясь достаточно линейным, без существенной интермодуляции, нормальный, типичный сигнал, который будет на него подаватся. Включая все вариации остальных параметров (нагрузка, питание, помехи, в т.ч. с выхода, температура и т.д.). Понятно что с некоторым запасом. Остальное все - словесный онанизмЪ.
Тут согласен, я в общем и хочу померять величину сигнала которая там может появиться в наихудшем случае, с учётом АЧХ каскадов и выходных помех возникающих при входе 20..20k.


RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019

Юрий_Uri Написал:Завязывать компенсацию на Ft транзисторов не очень хорошая идея, ИМХО.

Ну а если хорошо подумать...
Т.к. это IC, ft всех транзисторов схемы будет плавать приблизительно похожим образом, соотв такая компенсация будет более "стабильна" от кристала к кристалу. И даже без этого, что тако R и что такое С в мелкосхемах? R это либо эмитерная либо базовая либо коллекторная область, в зависимости от необходимого сопротивления на квадрат. С - либо емкость перехода либо емкость лигированной области на метал. Чем определяется ft? - сопротивлением базы и емкостью коллекторного перехода. Что как-бэ намекает.


RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-24-2019

mellowman Написал:Тут согласен, я в общем и хочу померять величину сигнала которая там может появиться в наихудшем случае, с учётом АЧХ каскадов и выходных помех возникающих при входе 20..20k.

Если таки интересно что делает 1210 - собрать простейший макет на ней и посмотреть сколько там чего в действительности, а потом нарисовать модельку и подогнать что-бы было более-менее похоже.


RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-25-2019

БендеровецЪ Написал:Т.к. это IC
Да, такой ответ и ждал. Я не знаю в подробностях как образуются элементы в ИС, поэтому и сомневаюсь.
И все-таки, если хорошо подумать, то я бы так не делал. Я мыслю "дискретно", спорить не буду, вполне допускаю, что это обычная практика.

ПС Я уж понял, что смысла что-то выяснять тут нет. Разработчики думали на уровне физической модели, а я тут со своей "аппроксимацией" :)


RE: На базе "сложного композита". - mellowman - 10-25-2019

БендеровецЪ Написал:Если таки интересно что делает 1210 - собрать простейший макет на ней и посмотреть сколько там чего в действительности, а потом нарисовать модельку и подогнать что-бы было более-менее похоже.
Вдуть 10В, грузануть на 8 ом, и вырезать основной тон? Или усилить разницу. Можно попробовать

Больше интересно не именно 1210, а дискретный АБ ВК, но если измерительный стенд будет то им же можно и всё мерить


RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-25-2019

Вычесть проще на мой взгляд.


RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-25-2019

mellowman Написал:Вдуть 10В, грузануть на 8 ом
Может, лучше вдуть на выход нужное кол-во тока? Проще будет селектировать.


RE: На базе "сложного композита". - nazar - 10-31-2019

Не надо ждать завтра, усложни себе жизнь сегодня!


RE: На базе "сложного композита". - БендеровецЪ - 10-31-2019

Хороший девиз :)


RE: На базе "сложного композита". - Юрий_Uri - 10-31-2019

БендеровецЪ Написал:Хороший девиз :)
В шапку темы его!